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光谱仪硅锂漂移探测器

发布时间:2020-07-24 09:41:34         点击:92

       光谱仪硅锂漂移探测器是在P型硅表面蒸发一层金属锂并扩散形成PN结,然后在反向电压和适当温度下使锂离子在硅原子之间漂移入硅中,由于锂离子很容易吸引一个自由电子而成为施主,从而与硅中的P型(受主)杂质实现补偿而形成高阻的本征层(探测器的灵敏区)。

光谱仪硅锂漂移探测器

光谱仪硅锂漂移探测器


       硅()探测器的特点是灵敏层厚度可以做得相当大(3-10毫米),因而探测器电容也比较小,探测效率高,但是必须在液氮冷却下保存(因为在室温下锂离子的迁移能力已经不能忽略了,而锂离子的迁移会破坏在制备硅()探测器时达到的精密补偿。这是硅()探测器保存时候也需要在液氮温度的根本原因。当然还有其它原因)和工作,一般说来其能量分辨、高计数率性能、使用方便性、体积和价格等性能都不如硅漂移探测器。

       请注意:硅锂漂移探测器和硅漂移探测器是两种不同的探测器,硅锂漂移探测器是因为在制造过程中采用了锂离子漂移补偿的方法而得名,而硅漂移探测器则是射线产生的载流子(电子-空穴对)中的电子先必须漂移到阳极区以后才能形成可以测量的电信号(硅漂移探测器中空穴对电信号没有贡献)而得名。 

 

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